INV120EQ035A是英诺赛科推出的一款120V增强型双向导通氮化镓（GaN）功率晶体管。 该产品采用了先进的VGaN技术和硅基氮化镓E型HEMT技术制造，封装形式为紧凑的4mm x 6mm En-FCQFN。 INV120EQ035A的主要特点包括双向阻断能力和超低的导通电阻，这使其在需要高效能和灵活开关的应用中表现出色。

这款晶体管适用于多种应用场景，例如在电池管理系统（BMS）中用于电池保护，在双向转换器中作为高压侧负载开关，以及在多电源系统中实现开关电路功能。 其双向导通特性使得在一个元件中即可实现传统方案中需要两颗背靠背连接的硅MOSFET才能实现的功能，从而有效减小方案尺寸并降低成本。 英诺赛科提供该产品的可靠性测试报告，并具备完善的质量体系和故障分析能力，确保产品的高可靠性和稳定性。 其120V的最大漏源电压和低至3.5mΩ的导通电阻，使其成为高效率电源应用的理想选择。