INV100FQ030C是英诺赛科推出的一款100V增强型双向导通氮化镓（GaN）功率晶体管。该产品基于先进的VGaN技术和8英寸硅基氮化镓工艺制造，采用紧凑的4mm x 6mm FCQFN封装。其显著特点是具备双向导通能力和超低的导通电阻，这有助于减小功率损耗，提高电路效率。

INV100FQ030C适用于多种对功率密度和效率有较高要求的应用场景。在电池管理系统（BMS）中，它可以用于电池保护电路。在双向变换器中，它可以作为高侧负载开关使用。此外，它也常用于多电源系统中的开关电路。 由于其双向导通特性，INV100FQ030C在一个产品中就能实现传统方案中需要两颗背靠背连接的硅MOSFET才能实现的功能，从而有效节省PCB空间，简化设计并降低成本。该产品具备无反向恢复电荷和超低栅极电荷等特性，进一步提升了其在开关应用中的性能。 英诺赛科提供该产品的可靠性测试报告，并遵循高标准的质量体系，确保产品的高可靠性。