INN700DC240C 是一款先进的 700V 增强型氮化镓 (GaN-on-Si) 功率晶体管，封装于紧凑且散热优良的 DFN 5mm x 6mm 封装内。它代表了功率半导体技术的重大进步，旨在超越传统硅基 MOSFET 的性能极限，为现代电源设计注入全新活力。

该器件的核心优势在于其卓越的特性：作为一款增强型（常闭型）开关，它提供了类似 MOSFET 的直观栅极驱动逻辑和固有的安全操作。得益于 GaN 材料的物理特性，INN700DC240C 能够实现极高的开关频率，这直接转化为更小的电感、电容尺寸，从而显著提升功率密度，使电源系统更小、更轻。

其零反向恢复电荷 (Qrr=0) 的特性是另一大亮点，它消除了传统硅二极管的反向恢复损耗，大幅降低了硬开关应用（如图腾柱 PFC）中的开关损耗，极大地提高了系统效率。同时，低栅极电荷 (Qg) 和低输出电荷 (Qoss) 进一步减少了驱动损耗和开关损耗，尤其在高频工作下优势更为明显。

INN700DC240C 经过严格的 JEDEC 工业标准认证，并内置 ESD 保护，确保了在严苛环境下的高可靠性和耐用性。完全符合 RoHS、无铅和 REACH 等环保法规，满足全球市场准入要求。

这些特性使其成为 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器、高效图腾柱 PFC、快速充电器以及各种追求极致功率密度和高频运行的电源解决方案的理想选择，助力工程师开发出性能卓越、尺寸紧凑的新一代电力电子产品。

INN700DC240C_Datasheet_Rev. 1.0.pdf