INS2003FQ 是一款 100V 半桥驱动器，专为高效驱动高侧和低侧氮化镓（GaN）场效应晶体管（FET）而设计，旨在克服传统 MOSFET 驱动方案面临的挑战。 该驱动器具有独立的高侧和低侧逻辑输入，并且集成了高侧和低侧驱动器联锁功能，以防止同时导通。 为了实现可调节的开关速度，INS2003FQ 提供了分体式输出，并具备强大的驱动能力，上拉电阻为 1Ω，下拉电阻为 0.2Ω。

INS2003FQ 包含内部智能启动开关（BST），可在死区时间有效防止高侧浮动电源 BST 电容过充，从而保护 GaN FET 的栅极并保持两侧 GaN FET 栅极电压的一致性。 该驱动器还具备自适应直通保护功能，即使在接近零死区时间的情况下也能确保不会出现同时导通。 INS2003FQ 的典型传播延迟为 20ns，并具有出色的延迟匹配（典型值 1ns），这使其适用于高频应用。 它支持高达 100V 的高侧浮动电源操作，并内置了欠压锁定（UVLO）、过压锁定（OVLO）和过温保护（OTP）等多种保护功能。 此外，该驱动器具有低至 35μA 的 VCC 静态电流，采用紧凑的 FCQFN 3mmx3mm 封装。

INS2003FQ 适用于多种应用领域，包括半桥和全桥转换器、高压同步 DC-DC 转换器以及需要高频率和高功率密度的应用。 它也适用于 48V 直流电机驱动、大功率 D 类音频功率放大器以及汽车领域的 48V/12V 双向 DC-DC 转换器。 英诺赛科提供的 INS2003FQ 等 GaN 驱动器产品，针对不同电压等级的氮化镓功率器件进行了优化，为数据中心、汽车电子、太阳能微逆等领域提供了高性能解决方案。