INS1001DE 是英诺赛科推出的一款用于驱动 GaN FET 的单通道驱动器。 这款驱动器适用于低侧、高侧或次级侧同步整流（SR）应用。

INS1001DE 的工作电压范围为 6V 至 20V，并提供灵活的 PWM/PWMB 双输入控制方式。 为了便于调节 GaN FET 的开启和关闭速度，该驱动器具有独立的上拉和下拉驱动输出，其上拉电阻为 1.3Ω，下拉电阻为 0.5Ω，驱动能力较强。 INS1001DE 具有带输入去偏振的快速传播延迟，用户还可以根据需求调节栅极驱动电压。 芯片内部集成了一个 5V LDO，可为数字隔离器或其他电路提供电源。

此外，INS1001DE 还内置了 UVLO、OVP、OTP 等保护功能，提高了系统的可靠性。 INS1001DE 采用 DFN3x3-10L 封装。 其应用市场涵盖多种开关模式电源，包括 AC-DC、DC-DC 转换器，Boost、Flyback 和 Forward 转换器，半桥和全桥转换器，同步整流，以及太阳能逆变器、电机控制和 UPS 等领域。 与同类产品相比，INS1001DE 在输入电压范围、驱动能力和保护功能方面具有优势。 在储能电源方案中，INS1001DE 已被应用于驱动高压侧管，有助于降低系统损耗并提升效率。

INS1001DE_Datasheet_Rev_1.0.pdf