ISG6133TJ 是英诺赛科推出的一款与硅 MOSFET 兼容的 700V 固态 GaN 功率 IC。 这款芯片巧妙地将 700V 增强型氮化镓 (GaN) FET 与内置的栅极钳位和 DESAT 保护功能集成在传统的 TO220 FullPAK 封装中，为电力电子领域树立了性能、易用性和可靠性的新标准。 

ISG6133TJ 具有 140mΩ 的 E 型 GaN，连续耐压 700V，脉冲耐压高达 750V。 它支持 8V 至 20V 的宽栅极输入电压范围，并允许用户通过外部栅极电阻调节开启和关闭回转速率，从而优化效率和 EMI 性能。 ISG6133TJ 的设计旨在作为硅 MOSFET 的直接替代品，可以直接使用现有的硅 MOSFET 控制器和驱动器，极大地简化了设计和应用。 它具有零反向恢复电荷的优点，并内置 DESAT 功能提供短路保护，增强了器件的鲁棒性和系统安全性。 ISG6133TJ 提供 TO220 FullPAK 封装选项，方便工程师进行布局和散热设计。 

ISG6133TJ 的应用市场广泛，包括 Boost PFC、QR 反激、AHB 和 LLC 等电源拓扑结构，适用于 AC-DC 电源适配器、LED 照明、电视电源和家电电源等多种应用。 高集成度和对现有硅基方案的兼容性使得 ISG6133TJ 成为升级现有电源设计的理想选择，有助于提高效率、减小尺寸并简化系统设计。

ISG6133TJ_Datasheet_Rev_1.0.pdf