INN030FQ015A 是英诺赛科 (Innoscience) 推出的一款 30V GaN (氮化镓) 增强型功率晶体管。它同样采用英诺赛科先进的 8 英寸硅基氮化镓 (GaN-on-Si) 技术制造，针对低压应用进行了优化，具有卓越的性能和可靠性，非常适合各种低压电源和负载开关应用。

关键特性和优势

30V 耐压: 适用于低压电源应用，例如 DC-DC 电源、负载开关、无线充电等。
增强型 (e-mode) GaN 器件: 增强型 GaN 晶体管具有常关特性 (normally-off)，简化驱动电路设计，提高系统可靠性。
极低的导通电阻 (RDS(on)): 1.5 mΩ (典型值)。 这是该器件的关键优势之一。 极低的导通电阻能够显著降低传导损耗，提高电源效率，并且降低器件的发热。
低栅极电荷 (Qg): 降低开关损耗。
高开关速度 (High Switching Speed): GaN 材料的固有特性使其具有比传统硅器件更高的开关速度。 这使得电源能够以更高的频率运行，从而减小了元件尺寸和重量，并提高了功率密度。
无反向恢复电荷 (Qrr = 0): GaN 器件没有反向恢复电荷，消除了由反向恢复引起的损耗和噪声，进一步提高了电源效率和可靠性。
符合 RoHS 标准: 符合欧盟 RoHS 指令，不含有害物质，环保安全。
封装: WLCSP (Wafer Level Chip Scale Package)。 这是一种非常小巧的封装，能够实现极高的功率密度。

主要应用：

高频DC-DC转换器

蓄电池充电器

电池管理系统

笔记本

工业

INN030FQ015A_Datasheet_Rev1.0_20231227.pdf