在第三代半导体产业高速发展的浪潮中，碳化硅（SiC）作为新能源汽车、光伏储能、快充桩及AI数据中心电源系统的核心材料，一度被视为最具成长潜力的赛道之一。然而，随着国内企业近年来集中扩产，行业供需格局迅速逆转，中国SiC衬底市场正经历一场深刻的价格重塑与产能出清。

当前，中国六英寸SiC衬底单片报价已降至200至300美元区间，折合人民币约1355.70元至2033.55元，彻底告别了此前上千美元的高价时代。这一价格剧烈下探的背后，是国内产能的集中释放与下游需求阶段性不匹配。据统计，2024年中国六英寸SiC衬底设计产能超过1300万片，但全球实际需求仅约150万片，国内实际销售约75万片，库存积压高达180万片。严重的供过于求，使得六英寸衬底价格从高峰期每片约5000元暴跌至不足2000元，直接击穿了多数企业的成本线。

价格战的持续蔓延，正在加速行业内部的优胜劣汰。缺乏技术与成本优势的中小厂商被迫低价抛售库存，部分企业已濒临退出市场边缘。与此同时，全球SiC产业正向八英寸平台加速演进，六英寸产品面临被替代的压力。为了延缓六英寸产品衰退并为向八英寸转型争取缓冲时间，部分中国大陆厂商采取低于成本线销售的策略，进一步加剧了价格竞争。

不过，短期内的价格低谷也为下游应用打开了更广阔的空间。更低的衬底成本有助于碳化硅器件在电动汽车800V高压平台、工业电源及AI数据中心等领域加速渗透。对于具备规模效应、成本控制能力和技术储备的头部企业而言，当前的行业洗牌既是挑战，也是进一步提升市场份额、巩固竞争优势的重要窗口期。