环球晶圆（GlobalWafers）近期宣布额外扩增20%氮化镓（GaN）产能，这一举措并非盲目的化合物半导体扩张，而是精准对准了新一代AI服务器电源系统中最紧缺的材料环节——650V GaN-on-Si外延片（Epi Wafer）及部分100V/150V GaN外延，旨在支撑AI数据中心供电链路里三大关键电源IC/模块的制造需求。

首先是800V HVDC架构下的中间母线转换器（IBC，800V→48V/54V）。随着AI服务器机柜向高压直流供电演进，这一级DC/DC转换要求开关频率突破500kHz且损耗极低。传统硅MOSFET已显乏力，650V GaN HEMT（GaN FET）凭借低导通电阻和零反向恢复特性成为首选。环球晶圆新增的6英寸/8英寸GaN-on-Si外延片，正是英飞凌CoolGaN™、英诺赛科（Innoscience）等产品的制造基石，直接决定了器件的良率与耐压一致性。

其次是前端钛金级AC/DC电源单元（PSU，3kW~12kW）。面对单机柜功率突破120kW的算力集群，整机柜对电源效率要求提升至96%~98%以上。650V GaN功率晶体管在此环节替代超结MOSFET，可将开关频率提至1MHz级并显著缩小磁性元件体积。环球晶圆通过提升外延片质量，保障了这些高可靠性电源IC的量产稳定性，成为TI、Power Integrations等PSU芯片厂向上游锁定的关键资源。

此外，在新兴的48V直接供电架构中，部分方案开始采用100V/150V GaN FET进行次级侧同步整流。虽然该节点仍可与高性能硅MOS混用，但随着GPU供电密度继续攀升，100V GaN需求增速明显，环球晶圆也在同线弹性调配部分产能予以支持。

整体来看，环球晶圆这20%的GaN扩产，实质上是在为AI服务器的“心脏”——高效供电模块——补齐材料短板。随着2026年AI算力集群的持续放量，拥有稳定GaN外延片供应的电源IC厂，将在新一代800V供电市场中占据先机。