半极性氮化镓（Semipolar GaN）是第三代半导体材料氮化镓的一种特殊晶体取向形态。传统的氮化镓器件大多在极性面上生长，这会导致材料内部产生强大的极化电场，从而引发“量子限制斯塔克效应”（QCSE）。该效应会使得电子和空穴在空间上分离，显著降低发光器件的复合效率，尤其是在制造绿光及更长波长的LED时，效率会严重下降。

为了克服这一难题，半极性氮化镓应运而生。通过在特定的倾斜角度上生长氮化镓晶体，可以有效削弱甚至消除内部的极化电场。 这种独特的晶体结构能够显著抑制量子限制斯塔克效应，从而大幅提升电子与空穴的复合效率，进而提高光电器件的内部量子效率。

正是由于这一核心优势，半极性氮化镓在高效率的光电器件领域展现出巨大的应用潜力。它被广泛认为是制造高性能绿色、黄色LED以及激光二极管（LDs）的关键材料。 虽然其生长技术相较于传统极性氮化镓更为复杂且成本更高，但随着技术的不断进步，半极性氮化镓正凭借其卓越的性能，在固态照明、高清显示及激光技术等前沿应用中扮演着越来越重要的角色。