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英诺赛科氮化镓引擎 驱动半导体升级
作者:admin 发布时间:2025-06-10 11:16:42 点击量:
英诺赛科自2015年起专注于氮化镓(GaN)芯片的研发与产业化,致力于以创新技术重塑行业。总部位于中国苏州,公司通过垂直整合的IDM模式,实现了从衬底到器件的全链条技术突破,加速了氮化镓的应用。
IDM模式集设计、制造、封测于一体,使英诺赛科能够掌控氮化镓芯片全产业链,快速响应市场需求,保持技术领先。公司掌握全球领先的8英寸硅基氮化镓量产技术,产品具备高频、高效、高可靠性等优势,性能较传统硅基器件大幅提升,功耗显著降低。
通过持续创新,英诺赛科突破了大尺寸晶圆良率瓶颈,降低了氮化镓芯片成本,加速了其在消费电子、新能源、汽车电子等领域的普及。从智能手机快充到新能源汽车逆变器,氮化镓技术正在各个领域展现优势。在新能源车市场,氮化镓功率模块助力800V高压平台实现快速充电。在光伏储能领域,器件助力系统效率突破新高。
凭借卓越技术和产品,英诺赛科赢得了全球客户的认可,累计出货数亿颗芯片,客户覆盖全球头部企业。公司正与全球合作伙伴携手,推动氮化镓技术创新与应用,构建更高效、节能、智能的未来。
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