2019年中国第三代半导体器件市场规模为86.29亿元，国内厂商整体规模较小，国际企业占据主导。英诺赛科此时处于产能建设阶段，其苏州基地于2019年完成主厂房封顶，尚未大规模量产。

据Trendforce数据，2021年英诺赛科氮化镓功率产品全球市场份额达20%，跃居全球第三。这得益于其全球首条8英寸硅基氮化镓产线量产（2020年设备搬入）和技术突破，如解决8英寸外延生长难题。2021年引进ASML光刻机提升产能和良率，同年苏州研发楼奠基，计划投资80亿元扩产。

按收入计算，英诺赛科2023年全球氮化镓功率半导体市场份额达33.7%，成为全球第一。其产品覆盖30V-1200V全电压范围，应用于消费电子、数据中心等领域。2023年8月，氮化镓芯片累计出货量突破3亿颗，苏州基地进入量产阶段，月产能达1.3万片。

2024年营收同比增长39.8%至8.285亿元，毛亏损率从-61.6%改善至-19.5%，反映出规模效应和成本控制成效。在汽车电子领域，其40V车规级芯片（INN040FQ045A-Q）获行业认可，并进入激光雷达、OBC等场景；数据中心领域向全球厂商供货。2024年底在中国香港上市，成为国内氮化镓半导体首家上市企业，增强资金实力。

2025年英诺赛科率先实现8英寸硅基氮化镓量产，打破美国垄断。IDM模式（全产业链自主可控）和8英寸工艺领先国际，产品功率密度和热性能优势显著。预计2028年全球氮化镓功率半导体市场规模将达501亿元，英诺赛科在AI算力、电动汽车、机器人等领域的布局有望进一步扩大份额。若延续当前增速，其2025年市场份额可能接近40%。从消费电子（如快充）向汽车、数据中心等高附加值领域延伸。

英诺赛科市场份额从2019年的起步阶段，到2021年跻身全球前三，2023年成为全球第一，2024-2025年通过技术迭代和新兴市场拓展巩固领先地位，推动国产第三代半导体国产化率显著提升。